湘潭高纯氧化铝杂质分析纯度鉴定机构,纯度鉴定

共计15道工序，l粉末冶炼：对原籵粉末进行前期的气氛烧结，对原籵粉末中气体含量进行控制，l粉末混合：靶材有着特的配方，需的控制各组分的含量，并严格限制杂质含量。在粉末冶全的过程中，需要将各元素充分混合均匀。粒度分布均匀，防止污染并要通过特殊工艺手段制备成混合型复粉，l压制成型：采用粉末冶金工艺制备的靶材需要对粉体料进行预压。使之成为中等密度生坯。其密度的均匀性和内部的缺陷影响着后期高温烧结的成品率，l气氛烧结：预压成型的生坯需要再经过一次或多次的高温烧结，根据不同材籵选择不同的烧结温度曲线，并选择不同的烧结环境。

具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构，TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58。而TbFeCofFa则可以接近08。经过研究发现。低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度，基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出显著的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术。不过,在实现更快速地按比例缩小的道路上存在的挑战之一,便是缺乏能够生产可进一步调低复位电流的完全密闭单元，降低复位电流可降低存储器的耗电量,延长电池寿命和提高数据带宽,这对于当前以数据为中心的、高度便携式的消费设备来说都是很重要的特征。

接近纯的ITO薄膜的电阻率，FPD和导电玻璃的尺寸都相当火，导电玻璃的宽度甚至可以达到3133_，为了提高靶材的利用率，开发了不同形状的ITO靶材，如圆柱形等，2000年，国家发展员会、科学技术部在《当前发展的信息产业领域指南》中，ITO大型靶材也列入其中，存储用，在储存技术方面，高密度、大容量硬盘的发展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光盘具有存储容量大，寿命长。可反复无接触擦写的特点，如今开发出来的磁光盘。

电导率高。薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点l，但是靶材制作困难，这是因为氧化铟和氧化锡不容易烧结在一起，一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系。日本的科学家采用Bizo作为添加剂，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材，而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序，采川这样的靶材得到的ITO薄膜的屯阻率达到8．1×10n-cm。

铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。显示器用，平面显示器（FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场。亦将带动ITO靶材的技术与市场需求，如今的iTO靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟和氧化锡粉混合后烧结。一种是采用铟锡合金靶材。铟锡合金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取种方法生产ITO靶材，利用L}IRF反应溅射镀膜．它具有沉积速度快．且能控制膜厚。

而未米的018um}艺甚至013m工艺。所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上，铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足，导体工艺在025um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路，为了解决以上这些问题。需要在铜与介质层之间设置阻挡层，阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物。因此要求阻挡层厚度小于50nm。与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。
[1]。发展众所周知。靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化，如Ic制造商．近段时间致力于低电阻率铜布线的开发。预计未来几年将大幅度取代原来的铝膜。这样铜靶及其所需阻挡层靶材的开发将刻不容缓。另外，近年来平面显示器（FPD）大幅度取代原以阴极射线管（CRT）为主的电脑显示器及电视机市场．亦将大幅增加ITO靶材的技术与市场需求。此外在存储技术方面，高密度、大容量硬盘，高密度的可擦写光盘的需求持续增加．这些均导致应用产业对靶材的需求发生变化。
因此铋就成了替代铅的材料，5、蓄电池：在铅酸蓄电池中加入0015％～003％的铋。可以使蓄电池在充放电等性能上均有大的改善和提高，国外蓄电池发展的国家已将其作为发展方向加以实施和推广。6、高纯超细氧化铋：高纯超细氧化铋应用于制造新型陶瓷和半导体。还可用于颜料、涂料的制备和铋基氧化物超导体的研制和开发。7、温差半导体材料：温差材料可以应用在太阳能温差发电元件和温差制冷元件。铋的某些金属化合物如(Bi，Sb)2(Te，Se)3等，特别是以Bi2Te3为基础的固溶体合金，是目前公认的好的半导体制冷材料。
其名源自tellus。意为“土地”，1782年米勒·冯·赖兴施泰因(FJMüllervonReichenstein)发现，碲为斜方晶系银白色结晶。溶于硫酸、硝酸、王水、氰化钾、氢氧化钾；不溶于冷水和热水、二硫化碳，高纯碲以碲粉为原料，用多硫化钠抽提精制而得，纯度为99999%。供半导体器件、合金、化工原料及铸铁、橡胶、玻璃等工业作添加剂用。碲有两种同素异形体，即黑色粉末状、无定形碲和银白色、金属光泽、六方晶系的晶态碲半导体。禁带宽034电子伏，[4]。碲的两种同素异形体中，一种是晶体的碲，具有金属光泽，银白色。