MX25U12835FZNI-10G,旺宏128M存储芯片

MX35 系列以较低的每兆位成本提供 1Gb 和 2Gb 密度的存储容量，因此，Macronix 串行 NAND 非常适合嵌入式应用，如数字电视、机顶盒和 AP 路由器，因为这些应用现在包含更复杂的操作系统，用于管理多媒体、照片和其他数据密集型内容。
Macronix 串行 NAND 与行业标准串行外设接口 （SPI） 命令集兼容，使设计人员能够轻松、经济地扩展其应用存储容量，而无需执行完整的系统重新设计，从而缩短上市时间，实现使用 Macronix 串行 NAND 的优势。
MXIC/旺宏部分型号：
MX29LV160BBXBI-90G
MX29LV160BTTC-90G
MX29LV160BBTC-90G
MX29LV160BTI-70G
MX29LV160BBMC-70G
MX29LV160BBTI-90G
MX29LV160CBTI-70G
MXIC/旺宏常用型号大量现货，我们只做原装，欢迎咨询合作！

八路总线内存
主要特点：
支持3V/1.8V工作电压
向后兼容 x1 I/O SPI 接口
STR 和 DTR（双倍传输速率）模式均支持
用于读取、编程和擦除操作的新 DTR 功能
MX29LV160DBTI-70G
NOR 闪存 Macronix 从 2 M 位密度提供 3 V 延长线路和 5 V 工业标准并行 NOR 闪存产品。 这些产品具有 Boot and Uniform Sector 体系结构，提供 x8、x16 和 x8/x16 可选配置。 在 3 V 产品线路中，MX29LV 系列提供标准读取访问权限，且 MX29GL 和 MX68GL 系列提供页模式访问权限。 ### 闪存，Macronix
并行 NOR 闪存
MXIC/旺宏部分型号：
MX29LV400CBXBI-70G
MX29GL128FHXFI-70G
MX29GL128EUT2I-11G
MX29GL128ELXFI-90G
MX29GL128EUXFI-11G
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1.2V 串行 NOR 闪存
1.2V （1.14V-1.6V）主要特点
标准串行 NOR 闪存接口
1.2V （1.14V-1.6V）
低功耗
低深度掉电电流：0.05uA
低有源电流：0.8mA
支持多 I/O
支持编程/擦除挂起/恢复功能
支持 ID 和安全的 OTP
超小型尺寸：WSON、USON、WLCSP、KGD、SOP
易失性位，可在低功耗模式和模式之间切换
MXIC/旺宏部分型号：
MX25R8035FZUIL0
MX25U12832FZNI02
MX25U12835FMI-10G
MX25U12835FZ2I-10G
MX25U12835FZNI-10G
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