STP45N60DM6，ST场效应管原装供货

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32L151RCT6功能描述：
低功耗的STM32L151xC和STM32L152xC器件集成了通用串行总线(USB)与ARM的连接能力®皮质®-M3 32位RISC内核，工作频率为32 MHz (33.3 DMIPS)，内存保护单元(MPU)，高速嵌入式存储器(闪存高达256千字节，RAM高达32千字节)，以及连接到两条APB总线的大量增强I/o和外设。
STM32L151xC和STM32L152xC器件提供两个运算放大器、一个12位ADC、两个DAC、两个低功耗比较器、一个通用32位定时器、六个通用16位定时器和两个基本定时器，可用作时基。
此外，STM32L151xC和STM32L152xC器件包含标准和通信接口:多两个I2C、三个SPI、两个I2S、三个USARTs和一个USB。STM32L151xC和STM32L152xC器件提供多达23个容性检测通道，可为任何应用添加触摸检测功能。
封装：LQFP-64
包装：tape and reel
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF4N62K3
STF5N52K3
STF5N60M2
STF5N80K5
STF5N95K3
STF5N95K5
STF5NK100Z
STF6N60M2
STF7LN80K5
STF7N105K5
STF7N60DM2
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。

LD3985M28R与低ESR电容兼容的低压降低噪声BiCMOS稳压器:
LD3985 在 2.5 V 至 6 V 输入电压范围内提供高达 150 mA 的电流。低压降、低静态电流和低噪声使其适用于低功耗应用和电池供电系统。稳压器接地电流仅在压差时略有增加，从而延长了电池寿命。电源抑制在低频时优于60 dB，在10 kHz时滚降。高电源抑制保持在电池供电电路常见的低输入电压电平。提供关断逻辑控制功能，这意味着当器件用作本地稳压器时，可以将电路板的一部分置于待机状态，从而降低总功耗。LD3985 设计用于低 ESR 陶瓷电容器。典型应用是移动电话和类似的电池供电无线系统。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF17NF25
STF18N60M2
STF18N65M2
STF18NM60N
STF18NM80
STF19NF20
STF20N65M5
STF20N90K5
STF20N95K5
STF20NF20
STF20NM65N-Y11
STF21N65M5
STF23NM60
STF24N60DM2ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

STW70N65DM6
N沟道650 V、360 mOhm典型值、68 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-247封装
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代MDmesh快速产品相比，DM6具有非常低的恢复电荷（QRR）、恢复时间 （tRR）和R的出色改进DS（开启）单位面积，具有市场上有效的开关行为之一，适用于要求苛刻的桥式拓扑和 ZVS 移相转换器。
ST其他部分MOSFET场效应管型号：
FERD20M60SR
FERD20S100SB-TR
FERD20S100STS
FERD20U60DJFD-TR
FERD30M45CG-TR
FERD40L60CTS
IRF630
PD54008-E
PD85035STR-E
RF2L16180CB4
SCT1000N170
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SCT50N120
碳化硅功率 MOSFET 1200 V、65 A、59 mOhm（典型值 TJ = 150 C），采用 HiP247 封装
所有功能
导通电阻随温度的变化非常小
非常高的工作结温能力（TJ= 200 °C）
非常快速和坚固的本征体二极管
低电容
ST其他部分MOSFET场效应管型号：
STB18NF25
STB18NM80
STB20NM60D
STB20NM60T4
STB21N90K5
STB23N80K5
STB23NM60ND
STB24N60DM2
STB24N60M2
STB25NF06LAG
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STD100N10F7
N沟道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
处于市面上低的 RDS(on) 行列
出色的品质因数（FoM）
较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
坚固的抗雪崩能力
STD100N3LF3：
N沟道30 V、0.0045 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) II功率MOSFET，DPAK封装
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD1NK60-1
STD1NK60T4
STD1NK80ZT4
STD20NF06T4
STD20NF20
STD25N10F7
STD25NF10LA
STD25NF10LT4
STD25NF10T4
STD25NF20
STD26P3LLH6
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STFH10N60M2
N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP宽沿面封装
STFU10N80K5
N沟道800 V、0.470 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP超窄引线封装
这些压 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh™ K5 技术设计，该技术基于创新的专有垂直结构。其结果是显著降低导通电阻和低栅极电荷，适用于需要功率密度和率的应用。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD8N65M5
STD8N80K5
STD95N4F3
STD96N3LLH6
STD9N60M2
STD9N60M6
STD9N65M2
STD9NM50N
STD9NM60N
STDLED625H
STE40NC60
STE88N65M5
STF100N10F7
STF10N105K5
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