IPW60R018CFD7XKSA1，英飞凌场效应管原装供货

汽车 N 沟道 MOSFET
凭借采用多种封装的汽车 N 沟道 MOSFET 产品组合，我们的 MOSFET 可提供的设计灵活性并满足广泛的需求。从 3mm x 3mm 开始，到 10mm x 15mm 的尺寸，您可以找到满足您应用需求的 MOSFET。
此外，新发布的用于40V电机驱动应用的半桥封装，以及用于高功率密度应用的新顶部冷却10mm x 15mm，完善了满足这些特殊要求的产品组合，分别节省了空间和冷却组件的额外成本。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPD60R180P7ATMA1
IPD60R1K0CEAUMA1
IPD60R1K4C6ATMA1
IPD60R1K5CEAUMA1
IPD60R280P7ATMA1
IPD60R360P7ATMA1
IPD60R380E6BTMA1
IPD60R380P6ATMA1
IPD60R385CPATMA1
IPD60R3K3C6ATMA1
IPD60R3K4CEAUMA1
IPD60R400CEAUMA1
IPD60R450E6ATMA1
IPD60R600C6ATMA1
IPD60R600E6BTMA1
IPD60R600P7ATMA1
IPD60R650CEAUMA1
IPD60R750E6ATMA1
IPD60R800CEAUMA1
IPD60R950C6ATMA1
原装承诺，合作共赢！

汽车场效应管应用
在汽车应用中，MOSFET 用于车身电子、动力总成、底盘和安全、汽车安全、电力驱动排水和信息娱乐系统。
英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPB60R125C6ATMA1
IPB60R280C6ATMA1
IPB60R380C6ATMA1
IPB65R099C6ATMA1
IPB65R225C7ATMA2
IPB720P15LMATMA1
IPC022N03L3X1SA1
IPC100N04S5L-1R1
IPC100N04S5L-1R5
IPC100N04S5L-1R9
我们只做原装，每颗芯片经得起检验！

IGBT-绝缘栅双极晶体管
不同电压和电流等级的 IGBT 分立器件、压接式器件、功率模块以及组件解决方案。
我们的 IGBT 产品系列包括多款不同器件。这些产品广泛应用于汽车、牵引、能源传输、工业和消费系统领域。我们的解决方案在正向和阻断状态下功耗非常低，仅需低驱动功率便可发挥率。这些 IGBT 产品可承受高达 6.5 kV 的电压，并可在 2 kHz 至 50 kHz 的开关频率下工作。
借助广泛的技术组合优势，面向工业和功率控制应用的 IGBT ,具有出色的电流承载能力和更高的脉冲负载能力，功耗极低。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IAUT240N08S5N019
IAUT260N10S5N019
IAUT300N08S5N012
IAUT300N08S5N014
IAUT300N10S5N015
IGT40R070D1E8220
IGT60R070D1ATMA4
IPA083N10N5XKSA1
IPA50R140CPXKSA1
IPA50R199CPXKSA1
IPA50R250CPXKSA1
IPA50R280CEXKSA2
IPA50R350CPXKSA1
IPA50R380CEXKSA2
IPA50R500CEXKSA2
IPA50R520CPXKSA1
IPA50R650CEZKSA2
IPA50R800CEXKSA2
IPA50R950CEXKSA2
IPA60R080P7XKSA1
芯片提供商，每一片都是原装，让您用的放心，助力贵公司发展！

静电保护_浪涌电压保护
EiceDRIVER™ 栅极驱动器，用于驱动MOSFETs，IGBTs，碳化硅MOSFET， 以及氮化镓HEMT
每个功率器件都需要一个驱动芯片——合适的驱动芯片让您事半功倍。电力电子应用是基于功率器件技术。而所有功率器件都需要合适的栅极驱动器解决方案。因此，我们提供500多种 EiceDRIVER™ 栅极驱动器，适用于任何功率器件，和任何终端应用。
EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供从0.1 A到10 A的一系列的典型输出电流选项。具有全面的保护功能，包括快速短路保护（DESAT），有源米勒钳位，直通短路保护，故障报告，关断，过流保护。使得这些驱动适用于包括CoolGaN™和 CoolSiC™在内的所有功率器件
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
SPP07N60C3XKSA1
SPP08N50C3XKSA1
SPP08N80C3XKSA1
SPP11N60C3XKSA1
SPP11N80C3XKSA1
SPP15N65C3XKSA1
SPP17N80C3XKSA1
SPP18P06PHXKSA1
SPP20N60S5XKSA1
SPP21N50C3XKSA1
SPP24N60C3XKSA1
SPP80P06PHXKSA1
SPS01N60C3BKMA1
SPS04N60C3AKMA1
SPW11N80C3FKSA1
SPW15N60C3FKSA1
SPW16N50C3FKSA1
SPW17N80C3FKSA1
SPW20N60C3FKSA1
SPW24N60C3FKSA1
英飞凌常用型号常备现货，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

SPB80P06P-G描述：
P 沟道增强模式 场效应晶体管 （FET）， -60V， D2PAK
英飞凌高度创新的OptiMOS™系列包括p沟道功率MOSFET。这些产品始终如一地满足电源系统设计关键规格的和性能要求，例如导通电阻和品质因数特性。
功能摘要：
增强模式
雪崩等级
快速切换
额定分量/分吨
无铅镀铅
符合 RoHS 标准，无卤素
符合 AEC Q101 标准
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
ISC0806NLSATMA1
ISZ0501NLSATMA1
ISZ0602NLSATMA1
ISZ0703NLSATMA1
ISZ0803NLSATMA1
ISZ0804NLSATMA1
SPA06N80C3XKSA1
SPA07N60C3XKSA1
SPA08N50C3XKAS1
SPA08N80C3XKSA1
SPA11N65C3XKSA1
SPA11N80C3XKSA2
SPA17N80C3XKSA1
SPA20N60C3XKSA1
SPA20N65C3XKSA1
SPA21N50C3XKSA1
SPB03N60C3E3045
SPB18P06PGATMA1
SPB21N50C3ATMA1
SPB80P06PGATMA1
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

IPC100N04S5-2R8
40V， N沟道， 2.8 mΩ 大值， 汽车场效应管， SS08 （5x6）， OptiMOS-5™
功能说明
OptiMOS™ - 用于汽车应用的功率MOSFET
N 通道 - 增强模式 - 正常水平
符合 AEC Q101 标准
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
雪崩测试
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPC100N04S5-2R8
IPC50N04S5L-5R5
IPC70N04S5L-4R2
IPD025N06NATMA1
IPG16N10S4L-61A
IPG20N04S4L-07A
IPG20N04S4L-11A
IPG20N04S4L-18A
IPG20N06S2L-35A
IPG20N06S2L-50A
IPG20N06S2L-65A
IPG20N06S4L-11A
IPG20N06S4L-14A
IPG20N10S4L-22A
IPG20N10S4L-35A
IPI029N06NAKSA1
IPLU300N04S4-R8
IPP029N06NAK5A1
IPP029N06NAKSA1
常用型号大量原装现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！